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IPD65R400CEAUMA1

IPD65R400CEAUMA1

僅供參考

型號 IPD65R400CEAUMA1
PNEDA編號 IPD65R400CEAUMA1
描述 MOSFET N-CH 650V TO-252
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 20,232
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 21 - 一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IPD65R400CEAUMA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IPD65R400CEAUMA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IPD65R400CEAUMA1規格

制造商Infineon Technologies
系列CoolMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)650V
電流-25°C時的連續漏極(Id)15.1A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs400mOhm @ 3.2A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3.5V @ 320µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs39nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds710pF @ 100V
FET功能Super Junction
功耗(最大值)118W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PG-TO252-3
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2.7A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

110mOhm @ 2.7A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7.7nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

Schottky Diode (Isolated)

功耗(最大值)

1.1W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

1206-8 ChipFET™

包裝/箱

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制造商

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

28A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

260mOhm @ 14A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

50nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3560pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

695W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

270mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 4V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.5Ohm @ 10mA, 4V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.3nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

33pF @ 5V

FET功能

-

功耗(最大值)

330mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

14A (Ta), 56A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.5mOhm @ 14A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

61nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7435pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.3W (Ta), 30W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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FET功能

-

功耗(最大值)

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工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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