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IPD70R360P7SAUMA1

IPD70R360P7SAUMA1

僅供參考

型號 IPD70R360P7SAUMA1
PNEDA編號 IPD70R360P7SAUMA1
描述 MOSFET N-CH 700V 12.5A TO252-3
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 80,658
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 1 - 二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IPD70R360P7SAUMA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IPD70R360P7SAUMA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IPD70R360P7SAUMA1規格

制造商Infineon Technologies
系列CoolMOS™ P7
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)700V
電流-25°C時的連續漏極(Id)12.5A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs360mOhm @ 3A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3.5V @ 150µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs16.4nC @ 10V
Vgs(最大)±16V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds517pF @ 400V
FET功能-
功耗(最大值)59.4W (Tc)
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PG-TO252-3
包裝/箱TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.2A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

60mOhm @ 4.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

11.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

540pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

2W (Ta)

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30V

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7A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

28mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.8nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

390pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.4W (Ta)

工作溫度

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安裝類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

130A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.4mOhm @ 68A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

60nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5050pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

125W (Tc)

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55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

55A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

19mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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功耗(最大值)

114W (Tc)

工作溫度

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