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IPG15N06S3L-45

IPG15N06S3L-45

僅供參考

型號 IPG15N06S3L-45
PNEDA編號 IPG15N06S3L-45
描述 MOSFET 2N-CH 55V 15A TDSON-8
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 7,002
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 五月 3 - 五月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IPG15N06S3L-45資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IPG15N06S3L-45
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
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  • IPG15N06S3L-45 Distributor

IPG15N06S3L-45規格

制造商Infineon Technologies
系列OptiMOS™
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)55V
電流-25°C時的連續漏極(Id)15A
Rds On(Max)@ Id,Vgs45mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.2V @ 10µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs20nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1420pF @ 25V
功率-最大21W
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-PowerVDFN
供應商設備包裝PG-TDSON-8-4

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

550mOhm @ 540mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.58nC @ 4.5V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

80mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

28nC @ 10V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14.5nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

31mOhm @ 4.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 4.5V

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