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IPG20N04S4L07ATMA1

IPG20N04S4L07ATMA1

僅供參考

型號 IPG20N04S4L07ATMA1
PNEDA編號 IPG20N04S4L07ATMA1
描述 MOSFET 2N-CH 8TDSON
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 8,082
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 20 - 十二月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IPG20N04S4L07ATMA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IPG20N04S4L07ATMA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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IPG20N04S4L07ATMA1規格

制造商Infineon Technologies
系列Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)20A
Rds On(Max)@ Id,Vgs7.2mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.2V @ 30µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs50nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3980pF @ 25V
功率-最大65W
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-PowerVDFN
供應商設備包裝PG-TDSON-8-4

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.5Ohm @ 50mA, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

50pF @ 25V

功率-最大

200mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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功率-最大

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FET類型

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12.3mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

47nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2367pF @ 15V

功率-最大

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2 P-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

720mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

300mOhm @ 400mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.76nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

110pF @ 10V

功率-最大

150mW

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

2 P-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

105mOhm @ 3.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

38nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

690pF @ 25V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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