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IPG20N04S4L08ATMA1

IPG20N04S4L08ATMA1

僅供參考

型號 IPG20N04S4L08ATMA1
PNEDA編號 IPG20N04S4L08ATMA1
描述 MOSFET 2N-CH 8TDSON
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 182,286
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IPG20N04S4L08ATMA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IPG20N04S4L08ATMA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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IPG20N04S4L08ATMA1規格

制造商Infineon Technologies
系列Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)20A
Rds On(Max)@ Id,Vgs8.2mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.2V @ 22µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs39nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3050pF @ 25V
功率-最大54W
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-PowerVDFN
供應商設備包裝PG-TDSON-8-4

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Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

660mA, 410mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

385mOhm @ 660mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

600mV @ 250µA (Min)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.2nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

270mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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2 N-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

50V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

300mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

250pF @ 25V

功率-最大

900mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

250mA (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.1Ohm @ 150mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.34nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

36pF @ 10V

功率-最大

250mW

工作溫度

150°C

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.3A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

30mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14.6nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

560pF @ 20V

功率-最大

2W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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