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IPI040N06N3GHKSA1

IPI040N06N3GHKSA1

僅供參考

型號 IPI040N06N3GHKSA1
PNEDA編號 IPI040N06N3GHKSA1
描述 MOSFET N-CH 60V 90A TO262-3
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 4,122
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IPI040N06N3GHKSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IPI040N06N3GHKSA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IPI040N06N3GHKSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列OptiMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)90A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs4mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 90µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs98nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds11000pF @ 30V
FET功能-
功耗(最大值)188W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝PG-TO262-3
包裝/箱TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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制造商

Infineon Technologies

系列

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.6A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 1.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

440pF @ 25V

FET功能

Schottky Diode (Isolated)

功耗(最大值)

2W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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制造商

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系列

-

FET類型

-

技術

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

8-SOIC

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

110A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

44nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2980pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.1W (Ta), 120W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

D2PAK

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

7.82A (Ta), 20A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

26.5mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

327pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3W (Ta), 20W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

34mOhm @ 37A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

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Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

-

功耗(最大值)

190W (Tc)

工作溫度

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