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IPI05N03LA

IPI05N03LA

僅供參考

型號 IPI05N03LA
PNEDA編號 IPI05N03LA
描述 MOSFET N-CH 25V 80A I2PAK
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 5,868
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 21 - 一月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IPI05N03LA資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IPI05N03LA
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IPI05N03LA, IPI05N03LA數據表 (總頁數: 10, 大小: 489.47 KB)
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IPI05N03LA規格

制造商Infineon Technologies
系列OptiMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)25V
電流-25°C時的連續漏極(Id)80A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs4.9mOhm @ 55A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 50µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs25nC @ 5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3110pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)94W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝PG-TO262-3
包裝/箱TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

9A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

550mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

32nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

930pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

30W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.45Ohm @ 4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

70nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3220pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

225W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

760mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5.25V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.3nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

330pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

850mW (Ta), 20W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

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漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

13A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

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Vgs(th)(最大)@ ID

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