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IPI120N06S402AKSA2

IPI120N06S402AKSA2

僅供參考

型號 IPI120N06S402AKSA2
PNEDA編號 IPI120N06S402AKSA2
描述 MOSFET N-CH 60V 120A TO262-3
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 6,894
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IPI120N06S402AKSA2資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IPI120N06S402AKSA2
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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IPI120N06S402AKSA2規格

制造商Infineon Technologies
系列OptiMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)120A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs2.8mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 140µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs195nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds15750pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)188W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝PG-TO262-3-1
包裝/箱TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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28A (Ta), 130A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.5mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

50nC @ 10V

Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3100pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

3.7W (Ta), 83W (Tc)

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漏極至源極電壓(Vdss)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

170A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11mOhm @ 60A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 4mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

265nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

19600pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

1150W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

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Vgs(th)(最大)@ ID

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門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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Vgs(最大)

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Vgs(th)(最大)@ ID

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