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IPI65R150CFDXKSA1

IPI65R150CFDXKSA1

僅供參考

型號 IPI65R150CFDXKSA1
PNEDA編號 IPI65R150CFDXKSA1
描述 MOSFET N-CH 650V 22.4A TO-262
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 5,634
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 22 - 十一月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IPI65R150CFDXKSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IPI65R150CFDXKSA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IPI65R150CFDXKSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列CoolMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)650V
電流-25°C時的連續漏極(Id)22.4A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs150mOhm @ 9.3A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4.5V @ 900µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs86nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2340pF @ 100V
FET功能-
功耗(最大值)195.3W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝PG-TO262-3-1
包裝/箱TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.6Ohm @ 1.15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

18nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

610pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 41W (Tc)

工作溫度

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.9mOhm @ 22A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

100nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3535pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 73.5W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

40mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

945pF @ 25V

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.3A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

95mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

32nC @ 10V

Vgs(最大)

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