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IPI80N04S403AKSA1

IPI80N04S403AKSA1

僅供參考

型號 IPI80N04S403AKSA1
PNEDA編號 IPI80N04S403AKSA1
描述 MOSFET N-CH 40V 80A TO262-3-1
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 7,212
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 3 - 十二月 8 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IPI80N04S403AKSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IPI80N04S403AKSA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IPI80N04S403AKSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列OptiMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)80A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs3.7mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 53µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs66nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds5260pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)94W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝PG-TO262-3
包裝/箱TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

27A (Ta), 60A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.3mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

32nC @ 10V

Vgs(最大)

+20V, -16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1470pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

5W (Ta), 38W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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17A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

180mOhm @ 10A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

66nC @ 5V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1800pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.1W (Ta), 125W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

18mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

24nC @ 15V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1400pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.1W (Ta), 25W (Tc)

工作溫度

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