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IPL60R125C7AUMA1

IPL60R125C7AUMA1

僅供參考

型號 IPL60R125C7AUMA1
PNEDA編號 IPL60R125C7AUMA1
描述 MOSFET N-CH 600V 17A 4VSON
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 6,660
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IPL60R125C7AUMA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IPL60R125C7AUMA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IPL60R125C7AUMA1規格

制造商Infineon Technologies
系列CoolMOS™ C7
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)17A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs125mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 390µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs34nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1500pF @ 400V
FET功能-
功耗(最大值)103W (Tc)
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PG-VSON-4
包裝/箱4-PowerTSFN

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A (Ta), 32A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13.2nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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功耗(最大值)

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安裝類型

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1.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.31Ohm @ 100mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.2nC @ 4V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

43pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

150mW (Ta)

工作溫度

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安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

15A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

460mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

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Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3500pF @ 20V

FET功能

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功耗(最大值)

3W (Ta), 100W (Tc)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

3.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14Ohm @ 200mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.45nC @ 10V

Vgs(最大)

±40V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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