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IPL60R125P7AUMA1

IPL60R125P7AUMA1

僅供參考

型號 IPL60R125P7AUMA1
PNEDA編號 IPL60R125P7AUMA1
描述 MOSFET N-CH 4VSON
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 5,076
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 14 - 六月 19 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IPL60R125P7AUMA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IPL60R125P7AUMA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IPL60R125P7AUMA1規格

制造商Infineon Technologies
系列CoolMOS™ P7
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)650V
電流-25°C時的連續漏極(Id)27A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs125mOhm @ 8.2A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 410µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs36nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1544pF @ 400V
FET功能-
功耗(最大值)111W (Tc)
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝PG-VSON-4
包裝/箱4-PowerTSFN

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制造商

Infineon Technologies

系列

CoolMOS™ P7

FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

360mOhm @ 2.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 140µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

555pF @ 400V

FET功能

-

功耗(最大值)

22W (Tc)

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

74A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 38A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

180nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3400pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

200W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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包裝/箱

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制造商

Rohm Semiconductor

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

800V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.08Ohm @ 2.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

21nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

485pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

40W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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系列

-

FET類型

P-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.8A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

150mOhm @ 2.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

26.9nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1055pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.17W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

80V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A (Ta), 68A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.5mOhm @ 12A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.9V @ 150µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

50nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2060pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.8W (Ta), 89W (Tc)

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安裝類型

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