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IPP040N06NAKSA1

IPP040N06NAKSA1

僅供參考

型號 IPP040N06NAKSA1
PNEDA編號 IPP040N06NAKSA1
描述 MOSFET N-CH 60V 20A TO220-3
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 13,608
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IPP040N06NAKSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IPP040N06NAKSA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IPP040N06NAKSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列OptiMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)60V
電流-25°C時的連續漏極(Id)20A (Ta), 80A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)6V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs4mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.8V @ 50µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs38nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2700pF @ 30V
FET功能-
功耗(最大值)3W (Ta), 107W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝PG-TO220-3
包裝/箱TO-220-3

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N-Channel

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.4mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.45V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

33nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2890pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta)

工作溫度

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安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

65A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.2mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

9.5nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1330pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.04W (Ta), 62.5W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

290mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 1.7mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

75nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3205pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

212W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.7A (Ta), 16A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

7.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

34mOhm @ 4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

545pF @ 40V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.2W (Ta), 24W (Tc)

工作溫度

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5mOhm @ 18A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

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Vgs(最大)

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FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 36W (Tc)

工作溫度

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