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IPP11N03LA

IPP11N03LA

僅供參考

型號 IPP11N03LA
PNEDA編號 IPP11N03LA
描述 MOSFET N-CH 25V 30A TO-220
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 5,220
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 8 - 三月 13 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IPP11N03LA資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IPP11N03LA
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IPP11N03LA, IPP11N03LA數據表 (總頁數: 10, 大小: 292 KB)
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IPP11N03LA規格

制造商Infineon Technologies
系列OptiMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)25V
電流-25°C時的連續漏極(Id)30A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs11.5mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 20µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs11nC @ 5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1358pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)52W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝PG-TO220-3-1
包裝/箱TO-220-3

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

350mOhm @ 8.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

160nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2700pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

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51A (Ta), 430A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

0.67mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

140nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9281pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.9W (Ta), 273W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

13A (Ta), 50A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.6V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

33nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1800pF @ 20V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.3W (Ta), 50W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

75A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.5mOhm @ 66A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

110nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3450pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

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