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IPP50R250CPHKSA1

IPP50R250CPHKSA1

僅供參考

型號 IPP50R250CPHKSA1
PNEDA編號 IPP50R250CPHKSA1
描述 MOSFET N-CH 500V 13A TO-220
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 7,290
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IPP50R250CPHKSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IPP50R250CPHKSA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IPP50R250CPHKSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列CoolMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)500V
電流-25°C時的連續漏極(Id)13A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs250mOhm @ 7.8A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3.5V @ 520µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs36nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1420pF @ 100V
FET功能-
功耗(最大值)114W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝PG-TO220-3-1
包裝/箱TO-220-3

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FET類型

N-Channel

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漏極至源極電壓(Vdss)

16V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

12A (Ta), 76A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.8mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

21nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1660pF @ 12V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.3W (Ta), 52W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.8A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

80mOhm @ 2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.8V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

3.2nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

270pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.4W (Ta)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

27.4A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

105mOhm @ 27.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

115nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

4W (Ta), 150W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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制造商

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FET類型

N-Channel

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

120A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3mOhm @ 75A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 150µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

170nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6540pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

53mOhm @ 18A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 35µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

887pF @ 75V

FET功能

-

功耗(最大值)

68W (Tc)

工作溫度

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