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IPP60R060P7XKSA1

IPP60R060P7XKSA1

僅供參考

型號 IPP60R060P7XKSA1
PNEDA編號 IPP60R060P7XKSA1
描述 MOSFET N-CH 600V 48A TO220-3
制造商 Infineon Technologies
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庫存 3,582
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 5 - 四月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IPP60R060P7XKSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IPP60R060P7XKSA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IPP60R060P7XKSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列CoolMOS™ P7
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)48A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs60mOhm @ 15.9A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 800µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs67nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2895pF @ 400V
FET功能-
功耗(最大值)164W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝PG-TO220-3
包裝/箱TO-220-3

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漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

22A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

165mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

45nC @ 10V

Vgs(最大)

±45V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1950pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

39W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

TO-220F

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

80A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.2mOhm @ 40A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

55nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3100pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

158W (Tc)

工作溫度

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14.7mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1000pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

31W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

385mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.7V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.8nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

195pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

770mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Surface Mount

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7.5Ohm @ 500mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

50pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

200mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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