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IPS04N03LB G

IPS04N03LB G

僅供參考

型號 IPS04N03LB G
PNEDA編號 IPS04N03LB-G
描述 MOSFET N-CH 30V 50A IPAK
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 7,290
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 六月 22 - 六月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IPS04N03LB G資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IPS04N03LB G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IPS04N03LB G, IPS04N03LB G數據表 (總頁數: 12, 大小: 521.29 KB)
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IPS04N03LB G規格

制造商Infineon Technologies
系列OptiMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)50A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs4.3mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 70µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs40nC @ 5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds5200pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)115W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝PG-TO251-3
包裝/箱TO-251-3 Stub Leads, IPak

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

650mOhm @ 5.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

37nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1990pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

11A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

26nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1760pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta)

工作溫度

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制造商

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FET類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6.6mOhm @ 68A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 180µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

110nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3400pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

250W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.7mOhm @ 50A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

33.7nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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