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IPSA70R1K4P7SAKMA1

IPSA70R1K4P7SAKMA1

僅供參考

型號 IPSA70R1K4P7SAKMA1
PNEDA編號 IPSA70R1K4P7SAKMA1
描述 MOSFET COOLMOS 700V TO251-3
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 14,940
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 23 - 十一月 28 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IPSA70R1K4P7SAKMA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IPSA70R1K4P7SAKMA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IPSA70R1K4P7SAKMA1規格

制造商Infineon Technologies
系列CoolMOS™ P7
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)700V
電流-25°C時的連續漏極(Id)4A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.4Ohm @ 700mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3.5V @ 40µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs4.7nC @ 400V
Vgs(最大)±16V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds158pF @ 400V
FET功能-
功耗(最大值)22.7W (Tc)
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝PG-TO251-3
包裝/箱TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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3A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.4Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

565pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

75W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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供應商設備包裝

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包裝/箱

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

230mOhm @ 12.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

75nC @ 15V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2010pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.1W (Ta), 250W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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FET類型

-

技術

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

550mOhm @ 6.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

62nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1400pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

150W (Tc)

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