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IPU07N03LA

IPU07N03LA

僅供參考

型號 IPU07N03LA
PNEDA編號 IPU07N03LA
描述 MOSFET N-CH 25V 30A TO-251
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 2,394
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 5 - 四月 10 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IPU07N03LA資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IPU07N03LA
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IPU07N03LA, IPU07N03LA數據表 (總頁數: 9, 大小: 236.84 KB)
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IPU07N03LA規格

制造商Infineon Technologies
系列OptiMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)25V
電流-25°C時的連續漏極(Id)30A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs6.5mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 40µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs22nC @ 5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2653pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)83W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝P-TO251-3-1
包裝/箱TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

72.4mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

645pF @ 50V

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

400mOhm @ 3.7A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

40nC @ 10V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1100pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

35W (Tc)

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-55°C ~ 150°C (TJ)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.8mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

21nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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-

功耗(最大值)

1.3W (Ta), 52W (Tc)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

23A (Ta), 70A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

70nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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