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IPU13N03LA G

IPU13N03LA G

僅供參考

型號 IPU13N03LA G
PNEDA編號 IPU13N03LA-G
描述 MOSFET N-CH 25V 30A TO-251
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 5,004
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 14 - 四月 19 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IPU13N03LA G資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IPU13N03LA G
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IPU13N03LA G, IPU13N03LA G數據表 (總頁數: 12, 大小: 547.14 KB)
PDFIPS13N03LA G數據表 封面
IPS13N03LA G數據表 頁面 2 IPS13N03LA G數據表 頁面 3 IPS13N03LA G數據表 頁面 4 IPS13N03LA G數據表 頁面 5 IPS13N03LA G數據表 頁面 6 IPS13N03LA G數據表 頁面 7 IPS13N03LA G數據表 頁面 8 IPS13N03LA G數據表 頁面 9 IPS13N03LA G數據表 頁面 10 IPS13N03LA G數據表 頁面 11

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IPU13N03LA G規格

制造商Infineon Technologies
系列OptiMOS™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)25V
電流-25°C時的連續漏極(Id)30A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs12.8mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2V @ 20µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs8.3nC @ 5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1043pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)46W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝P-TO251-3-1
包裝/箱TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.13A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

200mOhm @ 1.95A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

200pF @ 15V

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

50A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.6mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

140nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5250pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

4.8W (Ta), 57W (Tc)

工作溫度

-50°C ~ 150°C (TJ)

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

31A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

99mOhm @ 18A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 1.2mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

80nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2800pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

255W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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漏極至源極電壓(Vdss)

75V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

120A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.3mOhm @ 75A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

220nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9400pF @ 50V

FET功能

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功耗(最大值)

370W (Tc)

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功耗(最大值)

3.2W (Ta), 55W (Tc)

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