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IPU50R3K0CEBKMA1

IPU50R3K0CEBKMA1

僅供參考

型號 IPU50R3K0CEBKMA1
PNEDA編號 IPU50R3K0CEBKMA1
描述 MOSFET N-CH 500V 1.7A TO-251
制造商 Infineon Technologies
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庫存 2,070
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 20 - 一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IPU50R3K0CEBKMA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IPU50R3K0CEBKMA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IPU50R3K0CEBKMA1, IPU50R3K0CEBKMA1數據表 (總頁數: 14, 大小: 1,638.63 KB)
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  • IPU50R3K0CEBKMA1 Distributor

IPU50R3K0CEBKMA1規格

制造商Infineon Technologies
系列CoolMOS™ CE
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)500V
電流-25°C時的連續漏極(Id)1.7A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)13V
Rds On(Max)@ Id,Vgs3Ohm @ 400mA, 13V
Vgs(th)(最大)@ ID3.5V @ 30µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs4.3nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds84pF @ 100V
FET功能-
功耗(最大值)18W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝PG-TO251-3
包裝/箱TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

17.5A (Ta), 85A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.6mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

135nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

8140pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.1W (Ta), 50W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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250V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.4A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.1Ohm @ 2.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

260pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

50W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

供應商設備包裝

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

20A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

200mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 1.1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

45nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1520pF @ 100V

FET功能

Super Junction

功耗(最大值)

-

工作溫度

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

1A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

630mOhm @ 1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.9V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

100pF @ 50V

FET功能

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4.1W (Tc)

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