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IPU60R1K4C6AKMA1

IPU60R1K4C6AKMA1

僅供參考

型號 IPU60R1K4C6AKMA1
PNEDA編號 IPU60R1K4C6AKMA1
描述 MOSFET N-CH 600V TO-251-3
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 2,556
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 21 - 十二月 26 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IPU60R1K4C6AKMA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IPU60R1K4C6AKMA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IPU60R1K4C6AKMA1規格

制造商Infineon Technologies
系列CoolMOS™ C6
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3.2A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs1.4Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3.5V @ 90µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs9.4nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds200pF @ 100V
FET功能-
功耗(最大值)28.4W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝PG-TO251-3
包裝/箱TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

31A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

180mOhm @ 19A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

210nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5000pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

460W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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系列

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9.7A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

160mOhm @ 5.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

33nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

670pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

42W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

40V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

60A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

260nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

11000pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

68W (Tc)

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漏極至源極電壓(Vdss)

1200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

41A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

20V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

100mOhm @ 20A, 20V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 1mA (Typ)

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

130nC @ 20V

Vgs(最大)

+25V, -10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2560pF @ 1000V

FET功能

-

功耗(最大值)

273W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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功耗(最大值)

3.3W (Ta), 14.7W (Tc)

工作溫度

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