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IPU60R2K1CEBKMA1

IPU60R2K1CEBKMA1

僅供參考

型號 IPU60R2K1CEBKMA1
PNEDA編號 IPU60R2K1CEBKMA1
描述 MOSFET N-CH 600V TO-251-3
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 4,662
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 24 - 十一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IPU60R2K1CEBKMA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IPU60R2K1CEBKMA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IPU60R2K1CEBKMA1規格

制造商Infineon Technologies
系列CoolMOS™ CE
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.3A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs2.1Ohm @ 760mA, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3.5V @ 60µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs6.7nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds140pF @ 100V
FET功能-
功耗(最大值)22W (Tc)
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝PG-TO251-3
包裝/箱TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

200mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5Ohm @ 200mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.75nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±6V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

300mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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供應商設備包裝

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80V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

44A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

34mOhm @ 22A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

50nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1430pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

127W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

28A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

95mOhm @ 28A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.9V @ 2mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

230nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

4800pF @ 25V

FET功能

Super Junction

功耗(最大值)

-

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

375A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

0.9mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.6V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

166nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

12888pF @ 25V

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