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IPW60R070P6XKSA1

IPW60R070P6XKSA1

僅供參考

型號 IPW60R070P6XKSA1
PNEDA編號 IPW60R070P6XKSA1
描述 MOSFET N-CH 600V 53.5A TO247-3
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 8,460
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IPW60R070P6XKSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IPW60R070P6XKSA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IPW60R070P6XKSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列CoolMOS™ P6
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)53.5A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs70mOhm @ 20.6A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4.5V @ 1.72mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs100nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds4750pF @ 100V
FET功能-
功耗(最大值)391W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝PG-TO247-3
包裝/箱TO-247-3

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.5V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

275mOhm @ 400mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

850nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

6mOhm @ 15A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

124nC @ 8V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6334pF @ 10V

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