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IPW60R080P7XKSA1

IPW60R080P7XKSA1

僅供參考

型號 IPW60R080P7XKSA1
PNEDA編號 IPW60R080P7XKSA1
描述 MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 7,908
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IPW60R080P7XKSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IPW60R080P7XKSA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IPW60R080P7XKSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列CoolMOS™ P7
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)37A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs80mOhm @ 11.8A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 590µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs51nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2180pF @ 400V
FET功能-
功耗(最大值)129W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝PG-TO247-3
包裝/箱TO-247-3

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 5.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

14nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

440pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

15V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

286mOhm @ 9A, 15V

Vgs(th)(最大)@ ID

7V @ 4.2mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

42nC @ 15V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1300pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

220W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

24mOhm @ 55A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

157nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

9400pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

694W (Tc)

工作溫度

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69A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.5mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

45nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2850pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

71W (Tc)

工作溫度

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