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IPW60R330P6FKSA1

IPW60R330P6FKSA1

僅供參考

型號 IPW60R330P6FKSA1
PNEDA編號 IPW60R330P6FKSA1
描述 MOSFET N-CH 600V 12A TO247-3
制造商 Infineon Technologies
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庫存 4,878
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IPW60R330P6FKSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IPW60R330P6FKSA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IPW60R330P6FKSA1, IPW60R330P6FKSA1數據表 (總頁數: 19, 大小: 3,084.71 KB)
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IPW60R330P6FKSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列CoolMOS™ P6
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)12A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs330mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4.5V @ 370µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs22nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1010pF @ 100V
FET功能-
功耗(最大值)93W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝PG-TO247-3
包裝/箱TO-247-3

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

17.3mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 20µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.3nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

-

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漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4V, 5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

400mOhm @ 5.4A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

40nC @ 10V

Vgs(最大)

±10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1100pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.1W (Ta), 74W (Tc)

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

60V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

32A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

35mOhm @ 16A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1040pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

79W (Tc)

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漏極至源極電壓(Vdss)

1000V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

3.3Ohm @ 2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

26nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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功耗(最大值)

150W (Tc)

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FET功能

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功耗(最大值)

1.6W (Ta)

工作溫度

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