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IPZ60R070P6FKSA1

IPZ60R070P6FKSA1

僅供參考

型號 IPZ60R070P6FKSA1
PNEDA編號 IPZ60R070P6FKSA1
描述 MOSFET N-CH 600V TO247-4
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 7,164
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 25 - 十一月 30 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IPZ60R070P6FKSA1資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IPZ60R070P6FKSA1
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IPZ60R070P6FKSA1規格

制造商Infineon Technologies
系列CoolMOS™ P6
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)600V
電流-25°C時的連續漏極(Id)53.5A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs70mOhm @ 20.6A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4.5V @ 1.72mA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs100nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds4750pF @ 100V
FET功能-
功耗(最大值)391W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝PG-TO247-4
包裝/箱TO-247-4

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

75A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10mOhm @ 25A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

13.2nC @ 5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1220pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

120W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

75mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.1nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

240pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

1W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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29A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

35mOhm @ 29A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

28nC @ 10V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

900pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

75W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

140mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

34nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1100pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.7W (Ta), 88W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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