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IR2108

IR2108

僅供參考

型號 IR2108
PNEDA編號 IR2108
描述 IC DRIVER HALF BRIDGE 8DIP
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 2,682
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 13 - 四月 18 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IR2108資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IR2108
類別半導體電源管理ICPMIC-柵極驅動器

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IR2108規格

制造商Infineon Technologies
系列-
驅動配置Half-Bridge
頻道類型Independent
驅動程序數量2
門類型IGBT, N-Channel MOSFET
電壓-供電10V ~ 20V
邏輯電壓-VIL,VIH0.8V, 2.9V
電流-峰值輸出(源極,接收器)200mA, 350mA
輸入類型Non-Inverting
高壓側-最大(自舉)600V
上升/下降時間(典型值)150ns, 50ns
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Through Hole
包裝/箱8-DIP (0.300", 7.62mm)
供應商設備包裝8-PDIP

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門類型

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電壓-供電

10V ~ 20V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.5V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

1.9A, 2.3A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

600V

上升/下降時間(典型值)

15ns, 12ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

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系列

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驅動配置

Half-Bridge

頻道類型

Independent

驅動程序數量

2

門類型

IGBT, N-Channel MOSFET

電壓-供電

10V ~ 20V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.5V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

350mA, 650mA

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

600V

上升/下降時間(典型值)

60ns, 30ns

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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頻道類型

Independent

驅動程序數量

2

門類型

N-Channel, P-Channel MOSFET

電壓-供電

4.5V ~ 18V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.4V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

3A, 3A

輸入類型

Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

28ns, 32ns

工作溫度

0°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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驅動配置

Half-Bridge

頻道類型

Synchronous

驅動程序數量

2

門類型

N-Channel MOSFET

電壓-供電

5V ~ 12V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

3.5A, -

輸入類型

Inverting

高壓側-最大(自舉)

41V

上升/下降時間(典型值)

-

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0°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

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驅動配置

Half-Bridge

頻道類型

Synchronous

驅動程序數量

2

門類型

IGBT, N-Channel MOSFET

電壓-供電

10V ~ 20V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.3V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

250mA, 500mA

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

600V

上升/下降時間(典型值)

85ns, 35ns

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

8-DIP (0.300", 7.62mm)

供應商設備包裝

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