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IR2308STRPBF

IR2308STRPBF

僅供參考

型號 IR2308STRPBF
PNEDA編號 IR2308STRPBF
描述 IC MOSFET/IGBT DVR HV HS 8-SOIC
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 4,410
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 三月 19 - 三月 24 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IR2308STRPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IR2308STRPBF
類別半導體電源管理ICPMIC-柵極驅動器

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IR2308STRPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列-
驅動配置Half-Bridge
頻道類型Independent
驅動程序數量2
門類型IGBT, N-Channel MOSFET
電壓-供電10V ~ 20V
邏輯電壓-VIL,VIH0.8V, 2.9V
電流-峰值輸出(源極,接收器)200mA, 350mA
輸入類型Non-Inverting
高壓側-最大(自舉)600V
上升/下降時間(典型值)150ns, 50ns
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SOIC

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電壓-供電

4.5V ~ 32V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.4V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

2.5A, 2.5A

輸入類型

Inverting, Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

120ns, 45ns

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad

供應商設備包裝

8-SOIC-EP

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制造商

系列

-

驅動配置

Half-Bridge

頻道類型

Synchronous

驅動程序數量

2

門類型

N-Channel MOSFET

電壓-供電

4.3V ~ 6.8V

邏輯電壓-VIL,VIH

-

電流-峰值輸出(源極,接收器)

3A, 3.2A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

28V

上升/下降時間(典型值)

17ns, 12ns

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

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Renesas Electronics America Inc.

制造商

Renesas Electronics America Inc.

系列

-

驅動配置

Half-Bridge

頻道類型

Synchronous

驅動程序數量

2

門類型

N-Channel MOSFET

電壓-供電

7V ~ 13.2V

邏輯電壓-VIL,VIH

-

電流-峰值輸出(源極,接收器)

1.25A, 2A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

36V

上升/下降時間(典型值)

26ns, 18ns

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

供應商設備包裝

8-SOIC

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制造商

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系列

-

驅動配置

Low-Side

頻道類型

Independent

驅動程序數量

2

門類型

N-Channel, P-Channel MOSFET

電壓-供電

4.5V ~ 18V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.4V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

1.5A, 1.5A

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

-

上升/下降時間(典型值)

20ns, 29ns

工作溫度

0°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

8-DIP (0.300", 7.62mm)

供應商設備包裝

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Richtek USA Inc.

制造商

Richtek USA Inc.

系列

-

驅動配置

High-Side or Low-Side

頻道類型

Independent

驅動程序數量

2

門類型

IGBT, N-Channel MOSFET

電壓-供電

10V ~ 20V

邏輯電壓-VIL,VIH

0.8V, 2.5V

電流-峰值輸出(源極,接收器)

300mA, 600mA

輸入類型

Non-Inverting

高壓側-最大(自舉)

600V

上升/下降時間(典型值)

70ns, 35ns

工作溫度

-40°C ~ 125°C (TA)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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