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IRD3CH101DD6

IRD3CH101DD6

僅供參考

型號 IRD3CH101DD6
PNEDA編號 IRD3CH101DD6
描述 DIODE CHIP EMITTER CONTROLLED
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 7,686
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 10 - 十一月 15 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRD3CH101DD6資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRD3CH101DD6
類別半導體二極管與整流器整流器-單

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IRD3CH101DD6規格

制造商Infineon Technologies
系列*
二極管類型-
電壓-直流反向(Vr)(最大值)-
電流-平均整流(Io)-
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果-
速度-
反向恢復時間(trr)-
當前-反向泄漏@ Vr-
電容@ Vr,F-
安裝類型-
包裝/箱-
供應商設備包裝-
工作溫度-結點-

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650V

電流-平均整流(Io)

6A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.7V @ 6A

速度

No Recovery Time > 500mA (Io)

反向恢復時間(trr)

0ns

當前-反向泄漏@ Vr

200µA @ 650V

電容@ Vr,F

190pF @ 1V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

供應商設備包裝

DPAK

工作溫度-結點

175°C (Max)

1N1205R

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制造商

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系列

*

二極管類型

-

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

-

電流-平均整流(Io)

-

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

-

速度

-

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

-

電容@ Vr,F

-

安裝類型

-

包裝/箱

-

供應商設備包裝

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工作溫度-結點

-

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Vishay Semiconductor Diodes Division

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二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

3A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

900mV @ 3A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

40ns

當前-反向泄漏@ Vr

5µA @ 100V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

DO-214AB, SMC

供應商設備包裝

DO-214AB (SMC)

工作溫度-結點

-55°C ~ 175°C

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系列

-

二極管類型

Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

800V

電流-平均整流(Io)

30A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.29V @ 30A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

40µA @ 800V

電容@ Vr,F

10pF @ 400V, 1MHz

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

供應商設備包裝

TO-263 (D²Pak)

工作溫度-結點

-40°C ~ 175°C

VF30100S-E3/4W

Vishay Semiconductor Diodes Division

制造商

Vishay Semiconductor Diodes Division

系列

TMBS®

二極管類型

Schottky

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

100V

電流-平均整流(Io)

30A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

910mV @ 30A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

1mA @ 100V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

Through Hole

包裝/箱

TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

供應商設備包裝

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工作溫度-結點

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