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IRD3CH82DB6

IRD3CH82DB6

僅供參考

型號 IRD3CH82DB6
PNEDA編號 IRD3CH82DB6
描述 DIODE GEN PURP 1.2KV 150A DIE
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 8,064
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 29 - 十二月 4 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRD3CH82DB6資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRD3CH82DB6
類別半導體二極管與整流器整流器-單
數據表
IRD3CH82DB6, IRD3CH82DB6數據表 (總頁數: 6, 大小: 198.01 KB)
PDFIRD3CH82DB6數據表 封面
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IRD3CH82DB6規格

制造商Infineon Technologies
系列-
二極管類型Standard
電壓-直流反向(Vr)(最大值)1200V
電流-平均整流(Io)150A
電壓-正向(Vf)(最大值)@如果2.7V @ 150A
速度Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
反向恢復時間(trr)355ns
當前-反向泄漏@ Vr3µA @ 1200V
電容@ Vr,F-
安裝類型Surface Mount
包裝/箱Die
供應商設備包裝Die
工作溫度-結點-40°C ~ 150°C

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電流-平均整流(Io)

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電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.5V @ 100A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

7mA @ 1400V

電容@ Vr,F

-

安裝類型

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Standard

電壓-直流反向(Vr)(最大值)

1000V

電流-平均整流(Io)

1A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 1A

速度

Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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當前-反向泄漏@ Vr

10µA @ 1000V

電容@ Vr,F

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200V

電流-平均整流(Io)

100mA

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.2V @ 100mA

速度

Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed

反向恢復時間(trr)

60ns

當前-反向泄漏@ Vr

1µA @ 200V

電容@ Vr,F

3pF @ 0V, 1MHz

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電壓-直流反向(Vr)(最大值)

150V

電流-平均整流(Io)

120A

電壓-正向(Vf)(最大值)@如果

1.07V @ 120A

速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

-

當前-反向泄漏@ Vr

3mA @ 150V

電容@ Vr,F

3000pF @ 5V, 1MHz

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速度

Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

反向恢復時間(trr)

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