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IRF1104L

IRF1104L

僅供參考

型號 IRF1104L
PNEDA編號 IRF1104L
描述 MOSFET N-CH 40V 100A TO-262
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 6,678
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 2 - 十二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF1104L資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF1104L
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IRF1104L, IRF1104L數據表 (總頁數: 11, 大小: 215.2 KB)
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IRF1104L規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)100A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs9mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs93nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2900pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)2.4W (Ta), 170W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-262
包裝/箱TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

260mOhm @ 7.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

38nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1200pF @ 50V

FET功能

-

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

770mOhm @ 4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5.25V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

330pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.23W (Ta), 40W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.15Ohm @ 4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

28nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1400pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

208W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

31A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7mOhm @ 25A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 9mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 5V

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1140pF @ 75V

FET功能

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