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IRF1104S

IRF1104S

僅供參考

型號 IRF1104S
PNEDA編號 IRF1104S
描述 MOSFET N-CH 40V 100A D2PAK
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 8,946
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 22 - 一月 27 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF1104S資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF1104S
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IRF1104S, IRF1104S數據表 (總頁數: 11, 大小: 215.2 KB)
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IRF1104S規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)100A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs9mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs93nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2900pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)2.4W (Ta), 170W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D2PAK
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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38A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

25mOhm @ 7.9A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

50nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1591pF @ 20V

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-

功耗(最大值)

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系列

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FET類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

55V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

45A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

15.4mOhm @ 23A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 30µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

57nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2980pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

65W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

5.9A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

27mOhm @ 900mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.7V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.1nC @ 10V

Vgs(最大)

20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

380pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

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500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

2A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

6Ohm @ 1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

27nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1183pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

75W (Tc)

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