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IRF135S203

IRF135S203

僅供參考

型號 IRF135S203
PNEDA編號 IRF135S203
描述 MOSFET NCH 135V 129A D2PAK
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 2,772
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF135S203資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF135S203
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IRF135S203規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®, StrongIRFET™
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)135V
電流-25°C時的連續漏極(Id)129A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs8.4mOhm @ 77A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs270nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds9700pF @ 50V
FET功能-
功耗(最大值)441W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D²PAK (TO-263AB)
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

24mOhm @ 8.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.45V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

7nC @ 4.5V

Vgs(最大)

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輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

299mOhm @ 6.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 440µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

31nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1190pF @ 100V

FET功能

-

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

7mOhm @ 40A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

25nC @ 10V

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