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IRF1405ZSTRL-7P

IRF1405ZSTRL-7P

僅供參考

型號 IRF1405ZSTRL-7P
PNEDA編號 IRF1405ZSTRL-7P
描述 MOSFET N-CH 55V 120A D2PAK7
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 3,330
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 26 - 十二月 1 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF1405ZSTRL-7P資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF1405ZSTRL-7P
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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IRF1405ZSTRL-7P規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)55V
電流-25°C時的連續漏極(Id)120A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs4.9mOhm @ 88A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 150µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs230nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds5360pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)230W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D2PAK (7-Lead)
包裝/箱TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.3mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

89nC @ 10V

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

5500pF @ 15V

FET功能

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功耗(最大值)

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工作溫度

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

20mOhm @ 10A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.6V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10.2nC @ 10V

Vgs(最大)

+20V, -10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

598pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

38W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4.6mOhm @ 24A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

57nC @ 10V

Vgs(最大)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

3.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.4Ohm @ 1.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

8.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

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功耗(最大值)

45W (Tc)

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