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IRF3515STRLPBF

IRF3515STRLPBF

僅供參考

型號 IRF3515STRLPBF
PNEDA編號 IRF3515STRLPBF
描述 MOSFET N-CH 150V 41A D2PAK
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 5,346
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 24 - 一月 29 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF3515STRLPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF3515STRLPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IRF3515STRLPBF, IRF3515STRLPBF數據表 (總頁數: 11, 大小: 1,020.4 KB)
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IRF3515STRLPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)150V
電流-25°C時的連續漏極(Id)41A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs45mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4.5V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs107nC @ 10V
Vgs(最大)±30V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2260pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)200W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D2PAK
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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600V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

13A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

280mOhm @ 6.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

21.5nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

791pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

110W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

D2PAK

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

100V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

90A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

19mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

326nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

11100pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

13.6W (Ta), 375W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.1Ohm @ 4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

130nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2600pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

180W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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1200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

95A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

18V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

28.6mOhm @ 36A, 18V

Vgs(th)(最大)@ ID

5.6V @ 18.2mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

178nC @ 10V

Vgs(最大)

+22V, -4V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2879pF @ 800V

FET功能

-

功耗(最大值)

427W

工作溫度

175°C (TJ)

安裝類型

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FET功能

-

功耗(最大值)

150W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

D²PAK (TO-263AB)

包裝/箱

TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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