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IRF3704PBF

IRF3704PBF

僅供參考

型號 IRF3704PBF
PNEDA編號 IRF3704PBF
描述 MOSFET N-CH 20V 77A TO-220AB
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 4,410
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 28 - 十二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF3704PBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF3704PBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IRF3704PBF, IRF3704PBF數據表 (總頁數: 11, 大小: 265.23 KB)
PDFIRF3704STRRPBF數據表 封面
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IRF3704PBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)77A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs9mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs19nC @ 4.5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1996pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)87W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-220AB
包裝/箱TO-220-3

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410mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.4Ohm @ 40mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.8nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

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安裝類型

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11.4A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

960mOhm @ 5.7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

94nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3500pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

300W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

75mOhm @ 2.2A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15.6nC @ 10V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

720pF @ 15V

FET功能

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功耗(最大值)

480mW (Ta)

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