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IRF3704ZSPBF

IRF3704ZSPBF

僅供參考

型號 IRF3704ZSPBF
PNEDA編號 IRF3704ZSPBF
描述 MOSFET N-CH 20V 67A D2PAK
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 7,380
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 30 - 十二月 5 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF3704ZSPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF3704ZSPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IRF3704ZSPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)67A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs7.9mOhm @ 21A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.55V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs13nC @ 4.5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1220pF @ 10V
FET功能-
功耗(最大值)57W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D2PAK
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.7mOhm @ 14.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.7V @ 200µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

37nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1880pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

3W (Ta)

工作溫度

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安裝類型

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包裝/箱

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制造商

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FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

21A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

13mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.15V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12.2nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

768pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

41W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

19mOhm @ 11.4A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 300µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

41nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

1.5W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

10.3A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

170mOhm @ 7.8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 21µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

19.4nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

426pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

50W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

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