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IRF5305SPBF

IRF5305SPBF

僅供參考

型號 IRF5305SPBF
PNEDA編號 IRF5305SPBF
描述 MOSFET P-CH 55V 31A D2PAK
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 3,960
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十二月 1 - 十二月 6 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF5305SPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF5305SPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IRF5305SPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)55V
電流-25°C時的連續漏極(Id)31A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs60mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs63nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1200pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)3.8W (Ta), 110W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D2PAK
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

270mOhm @ 7A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

22nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

460pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

60W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

160mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 4mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

150nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3950pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

416W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

21A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

180mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

86nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1920pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

35W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

50mOhm @ 3.6A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20.4nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1063pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

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