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IRF530STRRPBF

IRF530STRRPBF

僅供參考

型號 IRF530STRRPBF
PNEDA編號 IRF530STRRPBF
描述 MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 7,056
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF530STRRPBF資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF530STRRPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IRF530STRRPBF, IRF530STRRPBF數據表 (總頁數: 9, 大小: 174.79 KB)
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IRF530STRRPBF規格

制造商Vishay Siliconix
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)100V
電流-25°C時的連續漏極(Id)14A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs160mOhm @ 8.4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs26nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds670pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)3.7W (Ta), 88W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝TO-263 (D²Pak)
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

11.5A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

10mOhm @ 11.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

41nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2246pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

940mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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Vishay Siliconix

制造商

Vishay Siliconix

系列

-

FET類型

N-Channel

技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

0.8mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

153nC @ 10V

Vgs(最大)

+20V, -16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

10180pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

104W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

60A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.1mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

42nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

6380pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

65W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

400mA (Tj)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.2V, 3V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

2.5Ohm @ 200mA, 3V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

110pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.6W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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