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IRF5803TR

IRF5803TR

僅供參考

型號 IRF5803TR
PNEDA編號 IRF5803TR
描述 MOSFET P-CH 40V 3.4A 6-TSOP
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 6,426
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF5803TR資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF5803TR
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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IRF5803TR規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)40V
電流-25°C時的連續漏極(Id)3.4A (Ta)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs112mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs37nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1110pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)2W (Ta)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝Micro6™(TSOP-6)
包裝/箱SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

480mOhm @ 6.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

56nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2055pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

48W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9A (Ta), 20A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

6V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

14mOhm @ 9A, 20V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

39nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2600pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.6W (Ta), 27W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

1A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

100pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

22A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

148mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

45nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

816pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

150W (Tc)

工作溫度

150°C (TJ)

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