IRF610S
僅供參考
型號 | IRF610S |
PNEDA編號 | IRF610S |
描述 | MOSFET N-CH 200V 3.3A D2PAK |
制造商 | Vishay Siliconix |
單價 | 請求報價 |
庫存 | 3,472 |
倉庫 | Shipped from Hong Kong SAR |
預計交貨 | 十二月 7 - 十二月 12 (選擇加急運輸) |
Guarantee | 可達壹年的[PNEDA-Warranty]* |
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IRF610S資源
品牌 | Vishay Siliconix |
ECAD Module | |
制造商零件編號 | IRF610S |
類別 | 半導體 › 晶體管 › 晶體管-FET,MOSFET-單 |
數據表 |
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IRF610S規格
制造商 | Vishay Siliconix |
系列 | - |
FET類型 | N-Channel |
技術 | MOSFET (Metal Oxide) |
漏極至源極電壓(Vdss) | 200V |
電流-25°C時的連續漏極(Id) | 3.3A (Tc) |
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On) | 10V |
Rds On(Max)@ Id,Vgs | 1.5Ohm @ 2A, 10V |
Vgs(th)(最大)@ ID | 4V @ 250µA |
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs | 8.2nC @ 10V |
Vgs(最大) | ±20V |
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds | 140pF @ 25V |
FET功能 | - |
功耗(最大值) | 3W (Ta), 36W (Tc) |
工作溫度 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
安裝類型 | Surface Mount |
供應商設備包裝 | D2PAK |
包裝/箱 | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
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