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IRF614SPBF

IRF614SPBF

僅供參考

型號 IRF614SPBF
PNEDA編號 IRF614SPBF
描述 MOSFET N-CH 250V 2.7A D2PAK
制造商 Vishay Siliconix
單價 請求報價
庫存 20,412
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 7 - 四月 12 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF614SPBF資源

品牌 Vishay Siliconix
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF614SPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IRF614SPBF, IRF614SPBF數據表 (總頁數: 9, 大小: 175.51 KB)
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IRF614SPBF規格

制造商Vishay Siliconix
系列-
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)250V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.7A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs2Ohm @ 1.6A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs8.2nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds140pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)3.1W (Ta), 36W (Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝D2PAK
包裝/箱TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

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500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

58A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

65mOhm @ 29A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

141nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

7010pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

520W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Chassis Mount

供應商設備包裝

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包裝/箱

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

650V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

150A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

17mOhm @ 75A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5.5V @ 8mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

430nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

20400pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

1560W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4.1A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

13V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

800mOhm @ 1.5A, 13V

Vgs(th)(最大)@ ID

3.5V @ 130µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12.4nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

280pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

26.4W (Tc)

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

860mA (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

4Ohm @ 1A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

50pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

725mW (Ta), 6.25W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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