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IRF6215L-103

IRF6215L-103

僅供參考

型號 IRF6215L-103
PNEDA編號 IRF6215L-103
描述 MOSFET P-CH 150V 13A TO262
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 3,672
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 二月 2 - 二月 7 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF6215L-103資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF6215L-103
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
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IRF6215L-103規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型P-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)150V
電流-25°C時的連續漏極(Id)13A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs290mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs66nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds860pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)3.8W (Ta), 110W (Tc)
工作溫度-
安裝類型Through Hole
供應商設備包裝TO-262
包裝/箱TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-

安裝類型

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供應商設備包裝

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包裝/箱

-

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制造商

Infineon Technologies

系列

HEXFET®

FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

11A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

12.5mOhm @ 11A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

3V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

23nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2100pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

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FET類型

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技術

MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

200V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

40A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

45mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

75nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2500pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

160W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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FET類型

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MOSFET (Metal Oxide)

漏極至源極電壓(Vdss)

75V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

9A (Ta), 127A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

11.3mOhm @ 30A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

60nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3370pF @ 30V

FET功能

-

功耗(最大值)

1.9W (Ta), 417W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 175°C (TJ)

安裝類型

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10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.5Ohm @ 100mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.1V @ 250µA

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Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

36pF @ 25V

FET功能

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功耗(最大值)

260mW (Ta), 830mW (Tc)

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安裝類型

Surface Mount

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