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IRF6601

IRF6601

僅供參考

型號 IRF6601
PNEDA編號 IRF6601
描述 MOSFET N-CH 20V 26A DIRECTFET
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 7,272
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 四月 19 - 四月 24 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF6601資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF6601
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單
數據表
IRF6601, IRF6601數據表 (總頁數: 13, 大小: 265.13 KB)
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IRF6601規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)26A (Ta), 85A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs3.8mOhm @ 26A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.2V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs45nC @ 4.5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds3440pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)3.6W (Ta), 42W (Tc)
工作溫度-
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝DIRECTFET™ MT
包裝/箱DirectFET™ Isometric MT

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

7A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

600mOhm @ 3A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

48nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

820pF @ 100V

FET功能

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功耗(最大值)

78W (Tc)

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安裝類型

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Infineon Technologies

制造商

Infineon Technologies

系列

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FET類型

-

技術

-

漏極至源極電壓(Vdss)

-

電流-25°C時的連續漏極(Id)

-

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

-

Rds On(Max)@ Id,Vgs

-

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

-

Vgs(最大)

-

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

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工作溫度

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30A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

-

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

30.6nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2400pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

55W (Tc)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

1.8V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1Ohm @ 200mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

950mV @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.89nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

43pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

350mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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