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IRF6646TRPBF

IRF6646TRPBF

僅供參考

型號 IRF6646TRPBF
PNEDA編號 IRF6646TRPBF
描述 MOSFET N-CH 80V 12A DIRECTFET
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 3,798
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 29 - 二月 3 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF6646TRPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF6646TRPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IRF6646TRPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)80V
電流-25°C時的連續漏極(Id)12A (Ta), 68A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs9.5mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID4.9V @ 150µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs50nC @ 10V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds2060pF @ 25V
FET功能-
功耗(最大值)2.8W (Ta), 89W (Tc)
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝DIRECTFET™ MN
包裝/箱DirectFET™ Isometric MN

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

55mOhm @ 2.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

16nC @ 5V

Vgs(最大)

±16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1350pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

15A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.8V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.5mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

56nC @ 5V

Vgs(最大)

±12V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3480pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

8.5A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

470mOhm @ 4.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

19nC @ 10V

Vgs(最大)

±25V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

547pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

70W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

16A (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7mOhm @ 16A, 5V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.5nC @ 5V

Vgs(最大)

+6V, -4V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

685pF @ 50V

FET功能

-

功耗(最大值)

-

工作溫度

-40°C ~ 150°C (TJ)

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