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IRF6711STRPBF

IRF6711STRPBF

僅供參考

型號 IRF6711STRPBF
PNEDA編號 IRF6711STRPBF
描述 MOSFET N-CH 25V 19A DIRECTFET-SQ
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 7,290
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 30 - 二月 4 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF6711STRPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF6711STRPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IRF6711STRPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)25V
電流-25°C時的連續漏極(Id)19A (Ta), 84A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs3.8mOhm @ 19A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.35V @ 25µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs20nC @ 4.5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1810pF @ 13V
FET功能-
功耗(最大值)2.2W (Ta), 42W (Tc)
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝DIRECTFET™ SQ
包裝/箱DirectFET™ Isometric SQ

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.4Ohm @ 2.4A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5.5V @ 50µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

12.6nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

620pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

89W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

供應商設備包裝

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FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

100A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

220nC @ 10V

Vgs(最大)

+20V, -16V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

11700pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

6.25W (Ta), 104W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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-

FET類型

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技術

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漏極至源極電壓(Vdss)

25V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

650mA (Ta)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

2.7V, 4.5V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

1.1Ohm @ 500mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

1.5nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±8V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

63pF @ 10V

FET功能

-

功耗(最大值)

750mW (Ta)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

59A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

4.5V, 10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.5mOhm @ 21A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.25V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 4.5V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1210pF @ 15V

FET功能

-

功耗(最大值)

57W (Tc)

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Vgs(th)(最大)@ ID

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Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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FET功能

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功耗(最大值)

250W (Ta)

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