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IRF6721STRPBF

IRF6721STRPBF

僅供參考

型號 IRF6721STRPBF
PNEDA編號 IRF6721STRPBF
描述 MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 3,400
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 17 - 十一月 22 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF6721STRPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF6721STRPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-單

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IRF6721STRPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型N-Channel
技術MOSFET (Metal Oxide)
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)14A (Ta), 60A (Tc)
驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)4.5V, 10V
Rds On(Max)@ Id,Vgs7.3mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.4V @ 25µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs17nC @ 4.5V
Vgs(最大)±20V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1430pF @ 15V
FET功能-
功耗(最大值)2.2W (Ta), 42W (Tc)
工作溫度-40°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
供應商設備包裝DIRECTFET™ SQ
包裝/箱DirectFET™ Isometric SQ

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

6.7A (Ta), 21A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

32mOhm @ 5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4V @ 20µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.9nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

370pF @ 40V

FET功能

-

功耗(最大值)

3.5W (Ta), 33W (Tc)

工作溫度

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安裝類型

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.7A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

7.2Ohm @ 850mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

500pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

2.5W (Ta), 50W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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FET類型

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漏極至源極電壓(Vdss)

500V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

10A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

450mOhm @ 8A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

5.5V @ 2.5mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

43nC @ 10V

Vgs(最大)

±30V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

2250pF @ 25V

FET功能

-

功耗(最大值)

125W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Through Hole

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

37.9A (Tc)

驅動電壓(Max Rds On,Min Rds On)

10V

Rds On(Max)@ Id,Vgs

99mOhm @ 14.5A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 1.21mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

70nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

3330pF @ 100V

FET功能

-

功耗(最大值)

278W (Tc)

工作溫度

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

5Ohm @ 400mA, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

4.5V @ 100µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

6.2nC @ 10V

Vgs(最大)

±20V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

FET功能

-

功耗(最大值)

1W (Ta)

工作溫度

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