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IRF6723M2DTRPBF

IRF6723M2DTRPBF

僅供參考

型號 IRF6723M2DTRPBF
PNEDA編號 IRF6723M2DTRPBF
描述 MOSFET 2N-CH 30V 15A DIRECTFET
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 8,478
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 十一月 27 - 十二月 2 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF6723M2DTRPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF6723M2DTRPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列
數據表
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IRF6723M2DTRPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型2 N-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)30V
電流-25°C時的連續漏極(Id)15A
Rds On(Max)@ Id,Vgs6.6mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID2.35V @ 25µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs14nC @ 4.5V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds1380pF @ 15V
功率-最大2.7W
工作溫度-55°C ~ 175°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱DirectFET™ Isometric MA
供應商設備包裝DIRECTFET™ MA

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

1.5A, 1A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

240mOhm @ 1.5A, 4.5V, 390mOhm @ 1A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 1mA, 2V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

2.2nC @ 4.5V, 2.1nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

15A (Ta)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

9.3mOhm @ 15A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.5V @ 1mA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

81nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

485mA, 370mA

Rds On(Max)@ Id,Vgs

700mOhm @ 600mA, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

0.75nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

250mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

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Surface Mount

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FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

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Rds On(Max)@ Id,Vgs

68mOhm @ 3.8A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.5V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

5.2nC @ 5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

375pF @ 15V

功率-最大

700mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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