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IRF7104TRPBF

IRF7104TRPBF

僅供參考

型號 IRF7104TRPBF
PNEDA編號 IRF7104TRPBF
描述 MOSFET 2P-CH 20V 2.3A 8-SOIC
制造商 Infineon Technologies
單價 請求報價
庫存 2,196
倉庫 Shipped from Hong Kong SAR
預計交貨 一月 20 - 一月 25 (選擇加急運輸)
Guarantee 可達壹年的[PNEDA-Warranty]*

IRF7104TRPBF資源

品牌 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
制造商零件編號IRF7104TRPBF
類別半導體晶體管晶體管-FET,MOSFET-陣列

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IRF7104TRPBF規格

制造商Infineon Technologies
系列HEXFET®
FET類型2 P-Channel (Dual)
FET功能Logic Level Gate
漏極至源極電壓(Vdss)20V
電流-25°C時的連續漏極(Id)2.3A
Rds On(Max)@ Id,Vgs250mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th)(最大)@ ID3V @ 250µA
門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs25nC @ 10V
輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds290pF @ 15V
功率-最大2W
工作溫度-55°C ~ 150°C (TJ)
安裝類型Surface Mount
包裝/箱8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
供應商設備包裝8-SO

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FET類型

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FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

30V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

40A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

5.8mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

40nC @ 10V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1500pF @ 15V

功率-最大

48W, 100W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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漏極至源極電壓(Vdss)

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電流-25°C時的連續漏極(Id)

11.5A (Ta), 46A (Tc), 17A (Ta), 80A (Tc)

Rds On(Max)@ Id,Vgs

8.9mOhm @ 11.5A, 10V, 3.6mOhm @ 20A, 10V

Vgs(th)(最大)@ ID

2.4V @ 250µA, 2V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

15nC @ 10V, 38nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1110pF @ 15V, 5260pF @ 15V

功率-最大

1.9W (Ta), 31W (Tc), 2.1W (Ta), 78W (Tc)

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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系列

TrenchFET®

FET類型

2 N-Channel (Dual)

FET功能

Logic Level Gate

漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

30mOhm @ 4.5A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.4V @ 250µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

20nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

-

功率-最大

830mW

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

包裝/箱

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FET類型

2 P-Channel (Dual)

FET功能

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漏極至源極電壓(Vdss)

20V

電流-25°C時的連續漏極(Id)

4A

Rds On(Max)@ Id,Vgs

67mOhm @ 4.6A, 4.5V

Vgs(th)(最大)@ ID

1.2V @ 25µA

門電荷(Qg)(最大值)@ Vgs

10nC @ 4.5V

輸入電容(Ciss)(最大值)@ Vds

1095pF @ 15V

功率-最大

1.6W

工作溫度

-55°C ~ 150°C (TJ)

安裝類型

Surface Mount

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